國(guó)內(nèi)外消費(fèi)級(jí)內(nèi)置固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)總結(jié)與分析
? 2024年中國(guó)消費(fèi)級(jí)內(nèi)置固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)銷售收入達(dá)到了48.92億元
消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)是一種主要面向個(gè)人消費(fèi)者市場(chǎng)的存儲(chǔ)設(shè)備，內(nèi)置固態(tài)硬盤(pán)是指安裝在計(jì)算機(jī)內(nèi)部的固態(tài)硬盤(pán)，與之相對(duì)的是外置固態(tài)硬盤(pán)（即移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)），消費(fèi)級(jí)內(nèi)置固態(tài)硬盤(pán)通常用于個(gè)人電腦、筆記本電腦以及其他消費(fèi)類電子設(shè)備中。 與傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)（HDD）相比，固態(tài)硬盤(pán)（SSD）使用閃存（NAND Flash）來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，不依賴于機(jī)械部件，因此具有更高的性能、耐用性和效率。
圖 1：中國(guó)市場(chǎng)消費(fèi)級(jí)內(nèi)置固態(tài)硬市場(chǎng)規(guī)模,2019 VS 2024 VS 2030(百萬(wàn)元)
圖片來(lái)源:第三方資料、新聞報(bào)道、業(yè)內(nèi)專家采訪及H Research整理研究，2024年
根據(jù)恒州誠(chéng)思的調(diào)研數(shù)據(jù)顯示，2024年中國(guó)消費(fèi)級(jí)內(nèi)置固態(tài)硬盤(pán)市場(chǎng)銷售收入達(dá)到了48.92億元，預(yù)計(jì)2030年可以達(dá)到到109.12億元，2024-2030期間年復(fù)合增長(zhǎng)率(CAGR)為14.31%。隨著生產(chǎn)工藝的提升和技術(shù)的不斷成熟，SSD的生產(chǎn)成本逐漸下降，尤其是隨著3D NAND技術(shù)和生產(chǎn)規(guī)模的擴(kuò)展，價(jià)格有望進(jìn)一步降低。這將推動(dòng)更多消費(fèi)者選擇SSD替代傳統(tǒng)的機(jī)械硬盤(pán)（HDD）。
中國(guó)市場(chǎng)核心廠商包括致態(tài)（ZhiTai）、三星（SAMSUNG）、梵想（FANXIANG）、西部數(shù)據(jù)（WD）、金士頓（Kingston）和宏碁掠奪者（PREDATOR）等，按收入計(jì)，2023年中國(guó)市場(chǎng)前三大廠商占有大約37%的市場(chǎng)份額。隨著技術(shù)的不斷突破，尤其是存儲(chǔ)芯片、主控芯片等關(guān)鍵技術(shù)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加快，預(yù)計(jì)中國(guó)品牌的消費(fèi)級(jí)SSD在國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)的份額將持續(xù)增長(zhǎng)。近年來(lái)，像長(zhǎng)江存儲(chǔ)、紫光集團(tuán)等國(guó)內(nèi)企業(yè)在閃存芯片領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)展，推動(dòng)了國(guó)內(nèi)SSD產(chǎn)品的質(zhì)量提升和自主研發(fā)能力的加強(qiáng)。隨著產(chǎn)業(yè)鏈的完善，國(guó)內(nèi)廠商能夠更加有效地控制成本、提高產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力。
從產(chǎn)品類型方面來(lái)看，NVMe固態(tài)硬盤(pán)占有重要地位，預(yù)計(jì)2030年份額將達(dá)到96%。隨著PCIe 4.0和PCIe 5.0接口的逐步普及，消費(fèi)級(jí)SSD的讀寫(xiě)速度將大幅提升，特別是對(duì)于需要高性能存儲(chǔ)的游戲玩家和創(chuàng)意工作者。PCIe 5.0的出現(xiàn)預(yù)計(jì)將推動(dòng)下一波存儲(chǔ)產(chǎn)品的性能提升，帶來(lái)更快的數(shù)據(jù)傳輸速度，進(jìn)一步推動(dòng)高端SSD的市場(chǎng)增長(zhǎng)。
同時(shí)就渠道來(lái)看，線上渠道在2023年份額大約是69%，未來(lái)幾年（2025-2030）年度復(fù)合增長(zhǎng)率CAGR大約為15%。
隨著消費(fèi)市場(chǎng)需求的多樣化，固態(tài)硬盤(pán)將根據(jù)不同應(yīng)用場(chǎng)景進(jìn)行細(xì)分。例如，針對(duì)游戲玩家的高性能SSD將具有更快的讀寫(xiě)速度、較大的緩存；針對(duì)創(chuàng)意工作者的SSD可能在數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理能力上有更高的要求；而針對(duì)日常辦公或家庭用戶的SSD則可能更多關(guān)注性價(jià)比和容量。
? SSD在AI中的未來(lái)：2025年NAND存儲(chǔ)趨勢(shì)
回顧2024年，存儲(chǔ)技術(shù)的升級(jí)已經(jīng)為AI計(jì)算和云應(yīng)用帶來(lái)了許多便利。從年初推出首個(gè)量產(chǎn)的汽車級(jí)UFS 4.0，推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，到與惠普合作將RM， PM和XG系列固態(tài)硬盤(pán)發(fā)送到國(guó)際空間站，以及推出容量高達(dá)2Tb的第8代BiCS FLASH QLC，展示下一代光結(jié)構(gòu)固態(tài)硬盤(pán)，鎧俠及其合作伙伴不僅滿足了當(dāng)前的存儲(chǔ)應(yīng)用需求，而且為未來(lái)存儲(chǔ)的新技術(shù)可行性奠定了基礎(chǔ)。
【01】
更大的存儲(chǔ)容量
AI計(jì)算對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)提出了更嚴(yán)格的要求。Tera級(jí)大型模型可以輕松地填滿30TB的企業(yè)SSD，這使得更大的存儲(chǔ)解決方案勢(shì)在必行。今年年初，鎧俠正式發(fā)布第八代BiCS FLASH，并根據(jù)市場(chǎng)需求，提供TLC和QLC產(chǎn)品線。
其中，QLC可以更好地增加單位空間內(nèi)的存儲(chǔ)容量。第8代BiCS FLASH 2Tb QLC的比特密度大約是第5代BiCS FLASH?QLC產(chǎn)品的2.3倍。寫(xiě)入效率提高了約70%。此外，新的QLC產(chǎn)品架構(gòu)可以在單個(gè)存儲(chǔ)封裝中堆疊16個(gè)芯片，以更緊湊的封裝設(shè)計(jì)提供業(yè)界領(lǐng)先的4TB容量，尺寸僅為11.5×13.5mm，高度為1.5mm。
這意味著未來(lái)使用第8代BICS FLASH QLC的存儲(chǔ)產(chǎn)品將在存儲(chǔ)空間上有一個(gè)質(zhì)的飛躍，輕松實(shí)現(xiàn)企業(yè)級(jí)SSD和數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD擴(kuò)展到120TB或更多。Pure Storage 已經(jīng)開(kāi)始測(cè)試第8代BiCS FLASH?2Tb QLC閃存產(chǎn)品，并相信在統(tǒng)一的全閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)平臺(tái)中使用BiCS FLASH技術(shù)，不僅可以滿足AI的嚴(yán)格要求，還可以實(shí)現(xiàn)極具競(jìng)爭(zhēng)力的備份存儲(chǔ)成本。
此外，第8代BiCS FLASH全面優(yōu)化了其邏輯電路，將存儲(chǔ)密度提高了50%以上，同時(shí)將NAND I/O速度提高了60%以上，使傳輸率高達(dá)3200MT/s。這大大改善了讀取延遲，為數(shù)據(jù)中心和PC提供了更高的存儲(chǔ)容量，并為電池、個(gè)性化和瘦身設(shè)計(jì)提供了更多空間。
【02】
加速部署PCIe 5.0和EDSFF
隨著PCIe 6.0到PCIe 7.0規(guī)格的成熟，PCIe 5.0企業(yè)存儲(chǔ)進(jìn)入加速采用階段。去年10月，鎧俠正式推出了全新XD8系列PCIe5.0 EDSFF（企業(yè)和數(shù)據(jù)中心標(biāo)準(zhǔn)外形系數(shù)）E1.S固態(tài)硬盤(pán)。這是鎧俠的第三代E1.S SSD，兼容PCIe 5.0 （32gt / S x 4）和NVMe 2.0規(guī)格，支持OCP Data Center NVMeSSD v2.5規(guī)格。
PCIe 5.0的傳輸效率是PCIe 4.0的2倍。它的高帶寬和低延遲特性允許SSD在高負(fù)載場(chǎng)景下提供更多的并發(fā)訪問(wèn)。更高的IOPS還能讓服務(wù)器在AI、數(shù)據(jù)庫(kù)、虛擬化和多媒體編輯等領(lǐng)域發(fā)揮關(guān)鍵作用。
此外，當(dāng)與PCIe 5.0結(jié)合使用時(shí)，EDSFF規(guī)范將效率提升到一個(gè)新的水平。EDSFF具有更好的散熱效率，允許更高的存儲(chǔ)密度，靈活的接口形式，并支持Compute Express Link（CXL），提供更靈活、更快配置的存儲(chǔ)解決方案。
新推出的鎧俠XD8系列已經(jīng)準(zhǔn)備好支持下一代存儲(chǔ)。它專為云和超大規(guī)模環(huán)境而設(shè)計(jì)，滿足數(shù)據(jù)中心日益增長(zhǎng)的高性能、高效率和可擴(kuò)展性需求。借助這種新型固態(tài)硬盤(pán)，云服務(wù)提供商和超大規(guī)模企業(yè)可以優(yōu)化基礎(chǔ)設(shè)施，同時(shí)保持運(yùn)營(yíng)效率并提供卓越的性能。
【03】
構(gòu)建未來(lái)存儲(chǔ)
在信息和通信的后5G時(shí)代，AI已經(jīng)開(kāi)始產(chǎn)生前所未有的數(shù)據(jù)量。鎧俠正在積極探索更多前瞻性存儲(chǔ)的可能性，例如基于相變存儲(chǔ)原理與CXL相結(jié)合的XL-FLASH存儲(chǔ)級(jí)存儲(chǔ)器（SCM），開(kāi)發(fā)比DRAM功耗更低、比特密度更高、讀取速度更快的存儲(chǔ)器。這不僅可以提高內(nèi)存利用率，還有助于節(jié)省能源。
在汽車級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域，鎧俠已獲得汽車軟件過(guò)程改進(jìn)和能力確定（Automotive SPICE）2級(jí)（CL2）認(rèn)證。鎧俠是第一家獲得汽車級(jí)UFS 4.0產(chǎn)品認(rèn)證的公司，這意味著其汽車級(jí)UFS 4.0已經(jīng)進(jìn)入了結(jié)構(gòu)化的項(xiàng)目管理和軟件開(kāi)發(fā)流程，以確保產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可追溯性。它不僅滿足了汽車制造商和一級(jí)供應(yīng)商對(duì)汽車級(jí)UFS 4.0設(shè)備嚴(yán)格的軟件開(kāi)發(fā)和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，也標(biāo)志著鎧俠汽車級(jí)UFS 4.0將在未來(lái)的高性能汽車多媒體系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。
此外，該公司還宣布開(kāi)發(fā)出利用具有高導(dǎo)通電流和超低漏電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管制成的新型4F2DRAM——OCTRAM（氧化半導(dǎo)體通道晶體管DRAM）。該技術(shù)使用InGaZnO（銦鎵氧化鋅）晶體管將泄漏率降低到非常低的水平，從而降低DRAM功耗。無(wú)論是SSD獨(dú)立緩存還是內(nèi)存產(chǎn)品，該技術(shù)都為高性能、低功耗產(chǎn)品提供了潛力。
顯然，2025年將繼續(xù)是充滿技術(shù)挑戰(zhàn)和創(chuàng)新的一年。鎧俠及其合作伙伴已經(jīng)準(zhǔn)備好面對(duì)新的挑戰(zhàn)，新的存儲(chǔ)技術(shù)和解決方案將在AI加速、云計(jì)算、虛擬化應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心部署等商業(yè)場(chǎng)景中大放異彩。同時(shí)，筆記本電腦、智能手機(jī)、XR設(shè)備由于存儲(chǔ)芯片性能的提升和尺寸的縮小，將有更多的可能性，為用戶提供更好的存儲(chǔ)體驗(yàn)。
本文轉(zhuǎn)自《恒州誠(chéng)思 YHResearch出版的市場(chǎng)調(diào)研報(bào)告》及 https://www.diskmfr.com/the-future-of-ssds-in-ai-2025-nand-storage-trends/ ，著作權(quán)歸原作者/平臺(tái)所有。轉(zhuǎn)載內(nèi)容不代表本平臺(tái)立場(chǎng)，僅供讀者參考，本平臺(tái)不承擔(dān)任何法律責(zé)任。
滬公網(wǎng)安備 31011502005212號(hào)